任职要求：
1、微电子相关专业硕士及以上学历（第一学历必须是985、211院校），5年以上功率器件产品设计开发经验，要求能够独立设计开发功率器件产品
2、掌握高压dmos或超结dmos或低压沟槽dmos或SGT器件原理和设计方法
3、掌握半导体器件的制造过程和方法
4、掌握主流TCAD仿真软件的使用
5、掌握qfd、doe、spc、8d、fmea、fa相关知识及应用
6、掌握功率mosfet电气参数的测试方法

主要职责：
1、根据公司的新产品开发计划，独立负责高压功率MOSFET、超结MOSFET、低压沟槽MOSFET和SGT器件的设计开发
2、制订并负责实施相关新品开发计划，保证计划的顺利完成
3、负责相关产品的设计文件、工艺文件和封装测试文件的拟制
4、与市场、运营、质量等相关部门人员进行沟通和协调，对反馈信息进行技术认证，提出改进方案确保及时解决问题
5、完成上级布置的其他任务